Path effects
Рис.5.1.1 Ячейки DRAM и FeRAM Запись в ячейку памяти DRAM происходит следующим образом: на линию данных ( bitline ) выставляется значение сигнала, который следует записать в конденсатор. Для записи 1 на линию данных подается положительное напряжение питания Vdd . После этого на управляющую линию ( wordline ) подается сигнал, который открывает полевой транзистор. Конденсатор заряжается, и мы имеем сохраненный бит информации. В ячейке FeRAM запись 1 происходит другим образом. В этом случае передающая линия подключается к земле, а транзистор держится в открытом состоянии. Подводя итог под различиями в работе ячеек DRAM и FeRAM , можно сказать, что иной принцип работы ячейки ферромагнитной памяти является результатом того, что бинарным "1" и "0" соответствуют отрицательное и положительное значения поляризации, а не нулевой и единичный заряд конденсатора, как это происходит в случае с DRAM .
|